




يقوم فريق شركتنا المختص بالدوائر المتكاملة الراديوية (RFIC) بتطوير دوائر متكاملة متقدمة تُستخدم في تطبيقات الجيل الخامس (5G) وكذلك تطبيقات الاتصالات عبر الأقمار الصناعية (SATCOM). وبصفتك مهندس تخطيط للدوائر المتكاملة الراديوية (RF IC Layout Engineer)، ستكون جزءًا من فريق رئيسي يصمّم منتجات مستقبلية معقدة للغاية من أجهزة الإرسال والاستقبال العاملة في نطاق الموجات المليمترية (mm-Wave). وتتضمن مسؤولياتك تخطيط وفحص الدوائر مثل دوائر التحيّز المرجعية (Bandgap bias circuits)، ودوائر التنظيم الخطي (LDOs)، والمُضخِّمات (amplifiers)، ومولّدات التردد المتغيرة (VCOs)، والمُختلِطات (mixers)، ومضاعفات/مقسّمات التردد (frequency multipliers/dividers)، والمحولات التناظرية-الرقمية (ADCs)، وذلك باستخدام أدوات صناعية قياسية مثل Cadence وPVS وCalibre، وغيرها. **المتطلبات** * يُفضَّل أن تكون حاصلاً على درجة البكالوريوس في هندسة الكهرباء، و/أو لديك خبرة صناعية ذات صلة تبلغ ٥ سنوات فأكثر. * يجب أن تمتلك مهارات فعّالة في التواصل الشخصي والعمل الجماعي والتواصل العام. * يجب أن تكون قادرًا على أداء مهام متعددة في بيئة ديناميكية سريعة الخطى. **المهارات الأساسية** * خبرة عملية في تخطيط الدوائر التناظرية/الراديوية مثل: وحدات الإرسال والاستقبال الفرعية (RX/TX sub-blocks)، ودوائر الحلقات المغلقة الترددية (PLLs)، ودوائر التحيّز المرجعية (Bandgap bias circuits)، ودوائر التنظيم (regulators)، وغيرها من الدوائر التناظرية/الراديوية. * يُفضَّل أن تكون لديك خبرة في الدوائر المتكاملة الراديوية العاملة في نطاق الموجات المليمترية (mmWave RF ICs) عند ترددات تتراوح بين ٢٠–٤٠ جيجاهرتز أو أعلى. * يُفضَّل أن تكون لديك خبرة في عمليات شركة Global Foundries الخاصة بتقنيات السيليكون-جيرمانيوم (SiGe) و/أو تقنية FDX، وكذلك في تقنيات شركة TSMC لتصنيع الدوائر المتكاملة باستخدام ترانزستورات MOS ذات الأبعاد دون الميكرونية (sub-micron CMOS). * القدرة على إدارة تخطيط الترتيب العام (floorplan) بدءًا من الخلايا الوحدة (unit cells)، وصولاً إلى مستويات الكتل (block levels)، ثم المستوى الأعلى (top level). * إتقان قوي لأدوات Cadence وPVS وCalibre. كما أن الخبرة في أنظمة Unix ولغة البرمجة Skill مفيدة. * معرفة عميقة بتقنيات تخطيط الدوائر المتكاملة المصممة للعمل عند الترددات العالية، مثل: التأثيرات الجانبية (Parasitics)، والاقتران (Coupling)، وتأثيرات الكهرومغناطيسية والمقاومة الداخلية (EMIR)، وهبوط الجهد (IR Drop)، والتناظر (Symmetry). * القدرة على تشخيص الأخطاء وحلها المتعلقة بفحص التوافق بين التصميم والشبكة (LVS)، وفحص قواعد التصنيع (DRC)، وفحص قواعد الاتصال (ERC). * امتلاك مهارات تواصل شفهية وكتابية باللغة الإنجليزية


